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闪存存储器论文范文 关于闪存论文怎么写

我国存储器产业迈出实质性一步介绍:为您写闪存存储器毕业论文范文和职称论文提供相关参考文献。

陈炳欣

随着落户于武汉东湖高新技术开发区的国家存储器基地项目启动建设,中国发展半导体存储器产业终于迈出实质性步伐.对于半导体存储器的重要性,已经毋庸多言.无论是发展消费电子,还是数据中心,存储器都是必不可少的关键组件.在中国每年进口的大量集成电路芯片中1/4为存储器.这样巨大的需求量,如果完全依靠海外供应,对于产业发展和信息安全保障,都是明显的软肋.

围绕中国要不要发展存储器产业,业界有观点认为,中国发展存储器产业已经错过最好的时机,哪怕再早6~7 年(2009 年),那时全球的存储产业仍可勉强算得上是“多头”格局,中国发展存储器,仍有更多合作的选择.此后发生了奇梦达破产、尔必达被收购等变动.可是现在,存储器产业已经高度垄断,专利技术成为中国企业绕不开的难题.

但是,我们更要强调的是,“亡羊补牢,犹未为晚”.虽然我们丧失了一个相对有利的入局机会,但是半导体产业具有一个重要特点,即技术革新永远不会停滞.创新技术的出现,市场需求的转变,产业结构的变化,企业发展速度的换档,都会给后进入者弯道超车的机会.

3D 闪存技术正是当前中国存储业面临的一个重大发展机遇.

NAND 闪存有平面闪存和3D 闪存之分.平面闪存是存储单元在晶圆表面二维平面排列,3D 闪存通过增加存储叠层,实现三维的存储阵列结构.平面闪存进入1x纳米节点之后,器件耐久性和数据保持特性持续退化,企业已经很难解决集成度提高和成本控制间的矛盾,采用3D 闪存技术已经不可避免.

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目前三星是唯一能量产3DNAND 的厂商,东芝(日本)和海力士(韩国)也都已发布2016 年48层3D NAND 的量产计划.然而,不同于基于微缩技术的平面闪存,3D 闪存的关键技术是薄膜和刻蚀工艺,技术工艺差别较大,而且除了三星,其他企业在3D 闪存布局方面走得并不远.中国企业有机会通过技术合作、专利授权许可,快速切入该领域.同时还能避免国际企业在传统技术研发中的设备折旧优势.

根据DRAM exchange 估计,2016 年年底3D NAND 将占全球NAND 的20%,而去年仅为6%.3D 闪存技术等、存储产业仍然拥有大量可以深入挖掘的空间.这也正是中国存储器产业发展的希望所在.

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